光刻板该如何清洗

据博研小编了解，对于 IC 行业，因为线条更细，精度要求更高，所以光刻板的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言，其颗粒移除率（PRE）不需要达到 100%，但对于光刻板而言却并非如此，其原因是对于产品良率而言，光刻板表面颗粒的影响更大，单晶圆缺陷只影响一个缺陷，而一个光刻板却影响到每一个芯片。

由于零成像缺陷是可以实现的，工厂内生产的光刻板需要经常清洗。为了保证光刻板洁净，必须定期对光刻板进行清洗，而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。

光刻板清洗工艺：

对于光刻胶及其他有机污染物，比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除，例如利用丙酮浸泡光亥刻版，在浸泡的同时可以超声提高浸泡效果。

对于比较干净的光刻板，浸泡基本就能将有机污染物去除干净。对于光刻胶较多的光刻板，浸泡只能将光刻胶泡软，还需要用无尘布或无尘棉蘸丙酮轻轻擦洗，或在光刻板清洗设备中采用毛刷刷洗，通过外力将顽固的光刻胶去除掉。

毛刷刷洗基本原理：

光刻板匀速旋转，喷嘴向光刻板表面喷洒丙酮等化学液，使得光刻胶由于溶解而变得松软，然后毛刷接触到光刻板表面，光刻板旋转时与毛刷产生相对运动，辅以喷嘴喷出的化学液，对光刻板表面起到刷洗作用。

刷洗完成后，通常采用高压 DI 水冲洗光刻板，通过高压微细水滴的冲击力去除仍然吸附在光刻板表面的剩余光刻胶。

第二种办法对于所有的有机材料都是有效的，它采用浓硫酸和 30%过氧化氢的混合物（在>100 ℃时，混合比通常为 2∶1～4∶1），之后是去离子水（DI）冲洗，称为 Piranha 刻蚀。

这种方法对于特别难去除的光刻胶或由于接触过高温等环境导致已经变性的光刻胶非常有效，并且可以得到很高的去胶效率。随后的清洁即去除图案化、检查和修复任何残留在光刻板表面的光刻胶或颗粒污染物。

在最有效的工艺中，强氧化剂清洗之后是氢氧化铵喷雾，以抵消残留酸（从而形成硫酸铵，一种易去除的盐）; 然后用去离子水冲洗以消除硫酸铵。