氮化镓是一种什么半导体材料？
2022-01-06
据博研小编了解，氮化镓（GaN） 材料是1928 年由Jonason 等人合成的一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。
氮化镓是氮和镓的化合物，此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃。
相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，GaN 器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作。另外，氮化镓器件可以在1~110GHz 范围的高频波段应用，这覆盖了移动通信、无线网络、点到点和点到多点微波通信、雷达应用等波段。近年来，以GaN 为代表的Ⅲ族氮化物因在光电子领域和微波器件方面的应用前景而受到广泛的关注。
作为一种具有独特光电属性的半导体材料，GaN 的应用可以分为两个部分：
凭借GaN 半导体材料在高温高频、大功率工作条件下的出色性能可取代部分硅和其它化合物半导体材料；
凭借GaN半导体材料宽禁带、激发蓝光的独特性质开发新的光电应用产品。
目前GaN 光电器件和电子器件在光学存储、激光打印、高亮度LED 以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势，其中高亮度LED、蓝光激光器和功率晶体管是当前器件制造领域最为感兴趣和关注的。
目前，整个GaN 功率半导体产业处于起步阶段，各国政策都在大力推进该产业的发展。国际半导体大厂也纷纷将目光投向GaN 功率半导体领域，关于GaN 器件厂商的收购、合作不断发生。
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