电子束光刻加工图案中的数字线宽与处理后的实际显影特征尺寸之间几乎总是存在差异。这是由抗蚀剂中的电子散射引起的。对于良好表征的过程，数字大小和实际大小之间通常存在固定差异，称为偏差。这可以通过适当更改设计中的所有尺寸来实现。
光刻加工的图案保真度受到电子-物质相互作用的限制，尤其是在具有高特征密度的布局中。抗蚀剂内的电子散射和来自基板的电子散射导致与初级入射束相邻的区域中的抗蚀剂的不希望的曝光。这种效应在电子束光刻中被称为“邻近效应”。由于邻近效应，所需图案中的角变圆，间隙间距和线宽被修改，某些特征甚至可能合并在一起或完全消失。
电子束光刻加工的应用涵盖广泛的纳米结构器件，包括但不限于电子器件、光电器件、量子结构、超材料、半导体/超导体界面的传输机制研究、微机电系统、光学和光子器件。电子束光刻也可用于掩模制作和在非平面基板上直接写入。
电子束光刻加工参数·曝光能量影响分辨率、灵敏度和邻近效应·曝光剂量影响图案保真度·图案密度影响邻近效应和图案保真度·抗蚀剂材料影响灵敏度、分辨率和对比度·抗蚀剂厚度影响灵敏度、分辨率和图案保真度·显影剂影响灵敏度、分辨率和显影窗口·开发时间影响灵敏度、分辨率和曝光窗口·显影温度影响灵敏度、分辨率和曝光窗口
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