详解微纳加工工艺：光刻

博研小编给大家普及一下，光刻是通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分除去的微纳加工工艺。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。

一般的微纳光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等加工工序。

1.硅片清洗烘干

方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～250 ℃,1～2分钟，氮气保护）。

2.涂底

方法：a.气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250 ℃,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b.旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。

3.涂胶

方法：a.静态涂胶：硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b.动态涂胶：低速旋转、滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂。

4.软烘

方法：真空热板，85～120 ℃,30～60秒。

5.边缘去除

光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。所以需要去除。

6.对准

对准方法：a.预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；b.通过对准标志，位于切割槽上。另外层间对准，即套刻精度，保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。

7.曝光

曝光中最重要的两个参数是：曝光能量和焦距。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。

8.后烘

方法：热板，110～130℃，1分钟。

9.显影

a.整盒硅片浸没式显影。缺点：显影液消耗很大；显影的均匀性差；

b.连续喷雾显影/自动旋转显影。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片表面，同时硅片低速旋转（100～500 rpm）。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。

10.硬烘

方法：热板，100～130 ℃，1～2分钟。

光刻是一种要求非常高的微纳工艺，博研小编这里只是简单叙述了下其加工步骤，想了解更多可以添加小编联系方式。

上一篇：第三代半导体材料产业发展介绍（史上最全）下一篇：什么是半导体材料